与杰伊·莱思罗普
通信，2021年。采访沃尔特·卡德韦尔，2021年。采访约翰·高迪，2021年。杰伊·莱思罗普和詹姆斯·纳尔，“半导体构造”（SemiconductorConstruction），美国2890395A号专利，于1957年10月31日提交，1959年6月9日发布，微电路光刻方法》（TheDiamondOrdinanceFuzeLaboratory'sPhotolithographicApproachtoMicrocircuits），《IEEE计算史纪事》，第35卷，第1期，2013年，第48-55页。1958年9月1日，杰伊·莱思罗普驶入TI停车场，开始他第
天工作。此时，杰克·基尔比在TI实验室里度过对未来有重大影响夏日假期快要结束
。莱思罗普从麻省理工学院毕业后，与罗伯特·诺伊斯共事过。他曾在美国z.府实验室工作，负责设计种近炸引信，使81毫米迫击炮弹能够在目标上方自动引爆。和仙童工程师样，他也在努力研制台面晶体管，但事实证明，这种晶体管很难小型化。现有制造工艺包括在半导体材料某些部位放置特殊形状蜡球，然后使用专用化学品腐蚀未覆盖部分。制造更小晶体管需要更小蜡球，但控制这些蜡球形状很困难。
在通过显微镜观察其中个晶体管时，莱思罗普和他助手——化学家詹姆斯·纳尔（JamesNall）有个想法：显微镜镜头可以拍摄些小东西，让它们看起来更大。如果把显微镜颠倒过来，这些小东西看起来就更小。他们能用镜头把个大图案“印”到锗上，从而在锗块上制作微型台面吗？相机公司柯达（Kodak）出售种叫作光致抗蚀剂化学物质（俗称“光刻胶”），这种物质在受到光照时会发生化学变化。
莱思罗普用柯达光刻胶涂在块锗上。接下来，他将显
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