辑》英文版，2010年9月21日，
家独立公司成立时，行业分析人士认为，在3D晶体管
竞争中，该公司处于可赢得市场份额有利地位。台积电前高管承认，台积电也在对此表示担心。格芯继承
德国家大型工厂，并在纽约建造家新尖端工厂。与竞争对手不同，格芯把最先进生产能力建立在发达经济体，而不是亚洲。格芯与IBM和三星建立合作伙伴关系，共同开发技术，使客户可以直接与格芯或三星签订生产芯片合同。此外，无晶圆厂芯片设计公司渴望格芯成为台积电可靠竞争对手，因为这家中国台湾巨头已经占据全球约半芯片制造市场。
对于格芯来说，另个主要竞争对手是三星。三星芯片制造业务技术与台积电大致相当，尽管其生产能力弱得多。不过，由于三星部分业务涉及内部设计芯片，所以三星出现些复杂情况。像台积电这样公司为几十家客户制造芯片，并不遗余力地让客户满意，但三星有自己智能手机和其他消费电子产品，因此三星在与许多客户竞争。这些公司担心，与三星芯片代工厂分享想法可能最终会出现在其他三星产品中。台积电和格芯没有这种利益冲突。
克莱尔·孙（ClaireSung）和杰西·沈（JessieShen），《台积电40纳米产量问题重新浮出水面，首席执行官承诺年底前修复》（TSMC40nmYieldIssuesResurface，CEOPromisesFixbyYear-End），《电子时报》（Digitimes），2009年10月30日。拉皮杜斯，《台积电承认40纳米良率问题，并给出预测》（TSMCConirms40nmYieldIssues，GivesPredictions），《电子工程专辑》英文版，2009年4月30日。采访里克·卡西迪，2022年。在格芯成立之际，向FinFET晶体管转变并不是对芯片行业唯冲击。台积电40纳米工艺节点曾面临严重良率问题，这给格芯个机
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