3 诺伊斯、基尔比和集成电路（5 / 6）

LeadStructure），美国2981877号专利，1959年7月30日提交，1961年4月25日发布，https://patentimages.storage.googleapis.com/e1/73/1e/7404cd5ad6325c/US2981877.pdf。迈克尔·赖尔登（MichaelRiordan），《二氧化硅解决方案》（TheSiliconDioxideSolution），《IEEE综览》（IEEESpectrum），2007年12月1日，https://spectrum.ieee.org/the-silicon-dioxide-solution。莱斯利·柏林，《微芯片背后人》，第53-81页。几个月后，诺伊斯意识到霍尔尼“平面工艺”可以用于在同块硅材料上制备多个晶体管。诺伊斯并不知道基尔比，那时，基尔比在块锗基片上制作台面晶体管并使用键合线连接。诺伊斯在同硅片上使用霍尔尼平面工艺制作出多个晶体管。由于平面工艺在晶体管上覆盖层二氧化硅绝缘层，诺伊斯可以通过在上面沉积金属线，将“导线”直接放在硅片上实现晶体管之间连接。和基尔比样，诺伊斯制造种集成电路：在块半导体材料上放置多个电子元器件。但诺伊斯版本完全没有键合线，晶体管和导线被制造在同块材料上面。不久，基尔比和诺伊斯基于半导体材料开发“集成电路”被简称为“半导体”，或者被更简单地称为“芯片”。

莱斯利·柏林，《微芯片背后人》，第112页。诺伊斯、摩尔和他们在仙童同事知道，他们集成电路将比其他电子设备所依赖错综复杂电线更加可靠。与台面晶体管相比，将仙童“平面”设计小型化似乎要容易得多。与此同时，更小晶体管意味着消耗更少电力。诺伊斯和摩尔开始意识到小型化和低功耗是个强大组合：更小晶体管